Китай звинуватили в крадіжці у Samsung технології 10-нм DRAM

П’ять осіб, включно з колишніми керівниками та співробітниками Samsung Electronics, були заарештовані в Сеулі за звинуваченням у витоку ключових технологій, зокрема 10-нанометрової (нм, 1 нм = 1 мільярдна частина метра) DRAM — технічного процесу виробництва чіпів, який був першим у своєму роді, розробленим Samsung Electronics. Ще п’ятьом висунуто звинувачення без арешту, повідомляє південнокорейське видання The Elec.

Відділ розслідування злочинів у сфері IT прокуратури Центрального району Сеула 23 грудня оголосив про висунення звинувачень та арешт пана А, колишнього співробітника Samsung Electronics, а потім керівника відділу розробки китайської компанії Changxin Memory Technology (CXMT). Його підозрюють в порушенні Закону про захист промислових технологій. 

Місцева прокуратура заявила, що китайська компанія CXMT завербувала ключовий персонал Samsung Electronics та розробила план копіювання технології 10-нм DRAM. Внаслідок цього відбувся витік інформації про сотні етапів процесу від колишнього дослідника Samsung Electronics під час його переходу до CXMT. У підсумку в 2023 році Китай успішно почав масове виробництво першої власної DRAM на цьому техпроцесі.

Свого часу компанія Samsung Electronics інвестувала 1,6 трильйона вон протягом п’яти років у розробку першої у світі технології DRAM класу 10 нм. 

Обвинувачення стверджує, що збитки, завдані корейській напівпровідниковій промисловості, включаючи Samsung Electronics, оцінюються щонайменше в десятки трильйонів вон.